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北京華測(cè)高溫?fù)舸y(cè)試儀優(yōu)勢(shì)

日期：2025-04-26 00:39

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摘要：北京華測(cè)高溫?fù)舸y(cè)試儀優(yōu)勢(shì) ● TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)：目前國(guó)內(nèi)材料電壓擊穿試驗(yàn)儀采用的光耦隔離方式，但光耦與隔離無(wú)非是提高儀器的采集的抗干擾處理。對(duì)于電弧放電過(guò)程中的浪涌對(duì)控制系統(tǒng)的防護(hù)起不到任何作用。這也就是國(guó)產(chǎn)儀器維護(hù)率過(guò)高的主要原因。而華測(cè)****的TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)，將起到對(duì)控制系統(tǒng)的**防護(hù)。 ●多級(jí)循環(huán)電壓采集技術(shù)：材料擊穿后，瞬間放電速度約為光速的1/5～1/3,國(guó)際通用的方法為壓降法進(jìn)行采集擊穿電壓。即變壓器的初級(jí)電壓瞬間下降一定比率來(lái)判別材料是否擊穿。顯然...

● TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)：
目前國(guó)內(nèi)材料電壓擊穿試驗(yàn)儀采用的光耦隔離方式，但光耦與隔離無(wú)非是提高儀器的采集的抗干擾處理。對(duì)于電弧放電過(guò)程中的浪涌對(duì)控制系統(tǒng)的防護(hù)起不到任何作用。這也就是國(guó)產(chǎn)儀器維護(hù)率過(guò)高的主要原因。而華測(cè)****的TVS瞬間抑制防護(hù)技術(shù)，將起到對(duì)控制系統(tǒng)的**防護(hù)。

●多級(jí)循環(huán)電壓采集技術(shù)：
材料擊穿后，瞬間放電速度約為光速的1/5～1/3,國(guó)際通用的方法為壓降法進(jìn)行采集擊穿電壓。即變壓器的初級(jí)電壓瞬間下降一定比率來(lái)判別材料是否擊穿。顯然記錄擊穿電壓值產(chǎn)生偏差。而采用多級(jí)循環(huán)采集技術(shù)對(duì)擊穿后的電壓采集將解決此難題。

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